Vishay Doppelt SI7997DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -60 A 29 W, 8-Pin PowerPack

Name: Vishay Doppelt SI7997DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -60 A 29 W, 8-Pin PowerPack
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI7997DP-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP53SV-DRSTVB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: -30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 5.5mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 51nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: PowerPack
Kabelkanaltyp: N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): -60A
Maximale Verlustleistung (Pd): 29W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SI7997DP

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = -60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -30V
Serie = SI7997DP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 29W
Transistor-Konfiguration = Doppelt°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein