Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 12V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 12.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- PICOSTAR
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2.1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.9W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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