Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 1 GHz SOIC, biplor typ. 12.6V, biplor typ. 2.8 V, 8-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Kanäle
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Eingangsruhestrom
- ±8.5 μA
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 85°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 12.6V
- Minimale Versorgungsspannung
- 2.8V
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Operationsverstärker
- Slew Rate
- 5000V/μs
- Verstärkung-Bandbreiten-Produkt (GBP)
- 1GHz
- Vos - Eingangs-Offsetspannung
- ±38 mV
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Operationsverstärker
Montageart = Oberfläche
Gehäusegröße = SOIC
Anzahl der Kanäle = 1
Pinanzahl = 8
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP = 1GHz
Maximale Versorgungsspannung = 12.6V
Vos - Eingangs-Offsetspannung = ±38 mV°C
Maximale Betriebstemperatur = 85°C
Länge = 5mm
Ausgangsstrom = 60mA
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Operationsverstärker
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten