Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 76 A 69 W, 8-Pin VSONP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.5nC

Gehäusegröße

VSONP

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

76A

Maximale Betriebstemperatur

150°C