Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON

Name: Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON
Brand: Texas Instruments

Marke: Texas Instruments

Hersteller Artikel-Nr.: CSD25404Q3T

Produkt-Nr.: P-DP8ST7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 150mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 10.8nC
Gehäusegröße: VSON
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 104A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 96W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: NexFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 104A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = VSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 150mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 10.8nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = Nein