Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 204 A 3.2 W, 8-Pin VSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

25nC

Gehäusegröße

VSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

204A

Maximale Betriebstemperatur

150°C