Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 3 W, 8-Pin SON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.85V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4nC

Gehäusegröße

SON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

73A

Maximale Betriebstemperatur

150°C