Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 500 mW, 8-Pin VSONP

Name: Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 500 mW, 8-Pin VSONP
Brand: Texas Instruments

Marke: Texas Instruments

Hersteller Artikel-Nr.: CSD17484F4

Produkt-Nr.: P-DRH7V5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 128mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gehäusegröße: VSONP
Höhe: 0.2mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 500mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: NexFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = VSONP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 128mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein