Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.3mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 23nC
- Gehäusegröße
- VSONP
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 108W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- NexFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Serie = NexFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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