Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin SON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

14nC

Gehäusegröße

SON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C