Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 63 W, 8-Pin VSONP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-50°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

15.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gehäusegröße

VSONP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Maximale Betriebstemperatur

150°C