Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 7.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 37nC
- Gehäusegröße
- VSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 110A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 125W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- NexFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 110A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = VSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 37nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042128901
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