Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

37nC

Gehäusegröße

VSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A

Maximale Betriebstemperatur

150°C