Texas Instruments Hochstrom-Darlington-Transistor-Array 7 50 V 500 mA NPN, SOIC 16-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.75mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Länge

10mm

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.6V

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

500mA

Montageart

Oberfläche