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Texas Instruments Hochstrom-Darlington-Transistor-Array 7 50 V 500 mA NPN, SOIC 16-Pin

Texas Instruments Logo

Marke: Texas Instruments

Hersteller Artikel-Nr.: ULN2003ADR

Produkt-Nr.: P-DP853P

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
7
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Länge
10mm
Maximale Betriebstemperatur
105°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
1.6V
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
500mA
Montageart
Oberfläche

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Hochstrom-Darlington-Transistor-Array
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 50V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 7
Polarität des Transistors = NPN°C
Maximale Betriebstemperatur = 105°C
Serie = ULN2003Amm
Kollektor-Sperrstrom max. = 50μA
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren

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