Texas Instruments FemtoFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR

Name: Texas Instruments FemtoFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
Brand: Texas Instruments

Marke: Texas Instruments

Hersteller Artikel-Nr.: CSD17381F4T

Produkt-Nr.: P-DRK4YV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 250mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.73V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 1.04nC
Gehäusegröße: PICOSTAR
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.1A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 500mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: FemtoFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PICOSTAR
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 250mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 1.04nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.04mm
Automobilstandard = Nein