Texas Instruments Darlington-Transistor-Array 7 50 V 500 mA NPN, SOIC 16-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

7

Betriebstemperatur min.

-20°C

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

50V

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.58mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Länge

9.9mm

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.1V

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

500mA