Texas Instruments Darlington-Transistor-Array 7 50 V 500 mA NPN, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 7
- Betriebstemperatur min.
- -20°C
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 50V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.58mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Länge
- 9.9mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 70°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.1V
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 500mA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Darlington-Transistor-Array
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 50V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 7
Betriebstemperatur min. = -20°C
Maximale Betriebstemperatur = 70°C
Breite = 3.91 mmmm
Kollektor-Sperrstrom max. = 100μA
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
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