Texas Instruments Darlington-Transistor 7 50 V 300 mA NPN, SOIC 16-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

7

Betriebstemperatur min.

-20°C

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

50V

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.75mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

50V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.6V

Maximale Verlustleistung (Pd)

2W