Taiwan Semiconductor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

140mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

1.2mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3A