Taiwan Semiconductor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 53 W, 4-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

28mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

28nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

2.3mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A