Taiwan Semiconductor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 54 W, 4-Pin TO-252

Name: Taiwan Semiconductor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 54 W, 4-Pin TO-252
Brand: Taiwan Semiconductor

Marke: Taiwan Semiconductor

Hersteller Artikel-Nr.: TSM060N03CP

Produkt-Nr.: P-DRLD7Z

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 11.1nC
Gehäusegröße: TO-252
Höhe: 2.3mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 54W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 80A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 11.1nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.5mm
Automobilstandard = IEC 61249