Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 67 A 83 W, 8-Pin PDFN56

Name: Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 67 A 83 W, 8-Pin PDFN56
Brand: Taiwan Semiconductor

Marke: Taiwan Semiconductor

Hersteller Artikel-Nr.: TSM089N08LCR

Produkt-Nr.: P-DRFCFL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 8.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 90nC
Gehäusegröße: PDFN56
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 67A
Maximale Betriebstemperatur: 155°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 83W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TSM025

Produktbeschreibung

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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