Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 51 A 83 W, 8-Pin PDFN56
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 36nC
- Gehäusegröße
- PDFN56
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 51A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 83W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TSM025
Produktbeschreibung
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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