Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 74 W, 8-Pin PDFN56

Name: Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 74 W, 8-Pin PDFN56
Brand: Taiwan Semiconductor

Marke: Taiwan Semiconductor

Hersteller Artikel-Nr.: TSM055N03EPQ56

Produkt-Nr.: P-DRFCFD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 8.5mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 11.1nC
Gehäusegröße: PDFN56
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 74W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TSM025

Produktbeschreibung

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21

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