Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 96 W, 8-Pin PDFN56

Name: Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 96 W, 8-Pin PDFN56
Brand: Taiwan Semiconductor

Marke: Taiwan Semiconductor

Hersteller Artikel-Nr.: TSM650N15CR

Produkt-Nr.: P-DRFCF4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 36nC
Gehäusegröße: PDFN56
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 24A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 96W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TSM025

Produktbeschreibung

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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