Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 200 mA 70 mV Oberfläche SOT-23 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Serie
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.25V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 70mV
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 225mW
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 200mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 2A
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 6ns
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Diodenkonfiguration = SeriemA
Subtyp = Siliziumverbindung
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Maximale Verlustleistung Pd = 225mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
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