Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 1 A 600 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- Sub SMA
- Höhe
- 1.43mm
- Länge
- 2.9mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 600V
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 1A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 30A
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 1.8μs
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Schaltdioden
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
- GTIN
- 5059041166799
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