Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 0.15 A 75 V Oberfläche TSOP 2-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- TSOP
- Höhe
- 0.95mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 200°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 75V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 0.15A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 2A
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 5ns
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Diodenkonfiguration = EinfachA
Subtyp = Siliziumverbindung
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 2
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
- GTIN
- 5059041187183
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