Taiwan Semiconductor AEC-Q101 3 TVS-Diode Unidirektional Einfach 6.6 kW 28.9 V min., 2-Pin, Oberfläche 26 V max Do-218

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Diodenkonfiguration

Einfach

Direction Typ

Unidirektional

Durchbruchsspannung min. (Vbr)

28.9V

Gehäusegröße

Do-218

Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm)

6.6kW

Impulsspitzenstrom max. (Ippm)

157A

Klemmenspannung

42.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C