Taiwan Semiconductor AEC-Q101 3 TVS-Diode Unidirektional Einfach 6.6 kW 26.7 V min., 2-Pin, Oberfläche 24 V max Do-218
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 3
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Direction Typ
- Unidirektional
- Durchbruchsspannung min. (Vbr)
- 26.7V
- Gehäusegröße
- Do-218
- Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm)
- 6.6kW
- Impulsspitzenstrom max. (Ippm)
- 170A
- Klemmenspannung
- 38.9V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Sperrspannung (Vwm)
- 24V
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- TVS-Diode
- Prüfstrom (It)
- 5mA
Produktbeschreibung
Die Taiwan Semiconductor Transientenspannungsunterdrückungsdioden, häufiger als TVS-Dioden bekannt, werden zum Schutz von integrierten Schaltungen (ICs) verwendet. TVs-Dioden schützen Halbleiter und empfindliche Komponenten vor hohen transienten Spannungsspitzen (Überspannung). TVS-Dioden werden sowohl in durchkontaktierten als auch in SMD-Gehäusen angeboten. Sie können unidirektional oder bidirektional sein. Unidirektionale TVS-Dioden ermöglichen nur positive oder negative Spannung, während bidirektionale Dioden sowohl mit positiven als auch mit negativen Spannungen betrieben werden können.AEC-Q101-zertifiziert Verbindungssipassivierung optimierte Designtechnologie TJ = 175 °C geeignet für hohe Zuverlässigkeit und Automobilanforderungen Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1, gemäß J-STD-069
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Suppressordioden TVS
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