Taiwan Semiconductor 1 TVS-Diode Bidirektional Einfach 600 W 111 V min., 2-Pin, Oberfläche 100 V max DO-214

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

Diodenkonfiguration

Einfach

Direction Typ

Bidirektional

Durchbruchsspannung min. (Vbr)

111V

Gehäusegröße

DO-214

Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm)

600W

Impulsspitzenstrom max. (Ippm)

3.7A

Klemmenspannung

162V

Maximale Betriebstemperatur

150°C