Taiwan Semiconductor 1 Transimpedanz-Verstärker Bidirektional Einfach 600 W 167 V min., 2-Pin, Oberfläche 150 V max

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

Diodenkonfiguration

Einfach

Direction Typ

Bidirektional

Durchbruchsspannung min. (Vbr)

167V

Gehäusegröße

DO-214AA (SMB)

Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm)

600W

Impulsspitzenstrom max. (Ippm)

2.5A

Klemmenspannung

243V

Maximale Betriebstemperatur

150°C