STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A Band und Rolle

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

380mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A