STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A, 7-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Breite

14 mm

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

39.5nC

Gehäusegröße

Band und Rolle

Höhe

3.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A

Länge

18.58mm