STMicroelectronics STL125N10F8AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A 150 W, 8-Pin PowerFLAT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

125A