STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 480 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

480V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

380mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A

Maximale Betriebstemperatur

175°C