STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 29mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 2.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 48.6nC
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Serie = SCT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 29mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 48.6nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, AEC-Q101mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET