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STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT027H65G3AG

Produkt-Nr.: P-CZGVTN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
29mΩ
Durchlassspannung (Vf)
2.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
48.6nC
Gehäusegröße
H2PAK-7
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
60A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Serie = SCT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 29mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 48.6nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, AEC-Q101mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET