STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 4-Pin Hip-247-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1200V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-10 to 22 V

Gehäusegröße

Hip-247-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A