STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.02Ω

Durchlassspannung (Vf)

2.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

162nC

Gehäusegröße

H2PAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

95A

Maximale Betriebstemperatur

175°C