STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 63mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 37nC
- Gehäusegröße
- HU3PAK
- Höhe
- 3.5mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 30A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 30A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1200V
Gehäusegröße = HU3PAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 63mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 37nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 18.58mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET