STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

63mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

37nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HU3PAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A

Maximale Betriebstemperatur

175°C