STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 460 W, 4-Pin ISOTOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

130mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

307.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±30 V

Gehäusegröße

ISOTOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A