STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 53 A 460 W, 4-Pin ISOTOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

80mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

310nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

ISOTOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

53A