STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin TO-263

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin TO-263
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STB38N65M5

Produkt-Nr.: P-CC4VJC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 710V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 95mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 71nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 25 V
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 30A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 30A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 710V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 95mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Source-spannung max Vgs = 25 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Breite = 9.35 mmmm
Automobilstandard = Nein