STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 480 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 39mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 118nC
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 72A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 480W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- MDmesh DM6
Produktbeschreibung
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand 100%ig auf Stoßentladung geprüft Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt629
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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