STMicroelectronics MASTERG Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.5 A 40 mW, 31-Pin QFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

300mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.5nC

Gehäusegröße

QFN-9

Höhe

1mm

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.5A

Maximale Betriebstemperatur

125°C