STMicroelectronics MASTERG Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9.7 A 40 mW, 31-Pin QFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

220mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2nC

Gehäusegröße

QFN-9

Höhe

1mm

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.7A

Maximale Betriebstemperatur

125°C