STMicroelectronics IGBT / 84 A Dual Gate, 650 V 441 W, 7-Pin HU3PAK Oberfläche

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

HU3PAK

Höhe

3.6mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

650V

Konfiguration

Dual Gate

Länge

11.9mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2V