STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Breite
- 21 mm
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- ±20 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 5mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 650V
- Länge
- 15.8mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 15V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 535W
Produktbeschreibung
IGBT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT