STMicroelectronics Darlington-Transistor 4 50 V 500 mA NPN, PDIP 16-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Betriebstemperatur min.

-20°C

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

50V

Gehäusegröße

PDIP

Höhe

5.1mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Länge

20mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.1V

Maximale Verlustleistung (Pd)

4.3W